蒸發鋁線是一種通過真空蒸發工藝在基材表面沉積鋁層形成的導電材料，廣泛應用于電子元器件和半導體領域。其核心在于將高純度鋁（99.99%）在真空環境下加熱至氣態，隨后在陶瓷、玻璃或硅片等基材上凝結成微米級薄膜。這種工藝能實現0.1-5μm的厚度控制，且方阻值可低至0.1Ω/□（厚度1μm時），同時保持優異的光反射率（可見光波段≥85%）。

與傳統的電鍍或壓延鋁箔相比，蒸發鋁線具有三大獨特優勢：首先其無應力沉積特性避免了機械加工導致的晶格缺陷，特別適合柔性基板應用；其次真空環境徹底隔絕氧化，單次成膜純度遠超大氣環境工藝；最重要的是能通過掩膜技術直接形成精密電路圖案（線寬可達20μm），省去了蝕刻工序。這些特點使其成為LED芯片鍵合線、薄膜太陽能電池背電極以及射頻識別標簽天線的首選材料。

在生產過程中需要重點關注蒸發源的溫度控制（通常維持在1200-1500℃），特別是鋁絲進給速度與真空度（10?3Pa級）的匹配關系，任何波動都會導致薄膜出現針孔或厚度不均。現代設備通過電子束蒸發（加速電壓20-30kV）配合離子輔助沉積技術，能將沉積速率提升至50nm/s以上，同時顯著增強薄膜附著力（劃格法測試達5B級）。

隨著微型化趨勢發展，蒸發鋁線技術正在向低溫工藝（＜150℃）和復合鍍層方向演進。例如采用鋁鎂合金（Mg含量2-5%）可提升薄膜延展性，而通過交替沉積氧化鋁鈍化層（Al?O?厚度10-20nm）則能有效抑制電遷移現象。這些創新使得蒸發鋁線在5G濾波器、MicroLED顯示等新興領域持續拓展應用邊界。